审查: 三星845DC PRO 400GB SATA SSD

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[章节标签= 1。介绍]

3d V-NAND为 Datacenter

三星-845DC-Pro-400GB-SATA-SSD-Custom-PC-Review-6作为世界上最大的NAND Flash生产商, 三星已经在企业SSD空间中很长时间,但除非你’re one of Samsung’大伴侣,你可能不知道。

即使作为一个SSD评论者,当我最近出席三星SSD全球峰会时,我仍然非常震惊,当时他们展示了广泛的企业SSD,其中大多数’t 甚至听说,零售市场可能会很好。当然,我’在今年早些时候,三星思想同样的事情,三星通过介绍了为频道设计的第一个企业SSD而迈进了零售企业SSD空间。 三星845dc. EVO.

虽然三星845dc evo是一个奇妙的企业SSD,用于阅读以读以读全文的工作负载,是它’s based off Samsung’S 19nm 3位MLC NAND,它不是’对于使用SSD进行写入密集型应用的人的理想选择。 3位MLC不仅显着较慢,而且比MLC显着降低,这意味着它不是’t非常竞争大多数竞争对手’基于MLC的产品。

为了填补差距,三星最近推出了三星845DC专业版,这将依靠三星’S最新创新,3D V-NAND,生产一个驱动器,这既具有高性能的写入密集型工作负载,也是高耐久性。

三星845dc. PRO Specifications

制造商 三星 三星
模型 845DC Pro 845DC Pro
构成因素 2.5″ 7mm SATA 2.5″ 7mm SATA
容量 400 GB 800 GB
控制器 三星MDX. 三星MDX.
NAND 三星24层40nm 3D V-NAND 三星24层40nm 3D V-NAND
顺序读取 530 MB / s 530 MB / s
顺序写入 460 MB / s 460 MB / s
4K随机阅读 92,000 IOPS. 92,000 IOPS.
4K随机写 50,000个IOPS. 51,000 IOPS.
界面 萨塔 6GB / s 萨塔 6GB / s
保修单 5年, 每天10个驱动器写入(DWPD) 5年, 每天10个驱动器写入(DWPD)

三星845DC Pro只能陷入两个能力–400GB和800GB,两种能力只会在2.5中提供″,7mm的形状因素。今天我们有机会审查三星845dc pro 400gb型号。根据规格,800GB模型应该略微表现稍好,虽然不是很多。

内部硬件 Samsung 845DC Pro将包括尝试和真正的三星MDX控制器的组合以及一些三星’第1代24层3D V-NAND。由于三星845DC Pro是企业零件,我们还可以获得达钽电容器,用于全道路电源损耗保护。我们’当我们仔细看看驱动器时,LL更详细地走上内部。

三星845dc. PRO的保证是在10DWPD(每天的驱动器写入)上5年。这意味着400GB驱动器被评定为低于7,300 TBW(写入TERA字节),而800GB驱动器额定为14,600 TBW。将其与960GB三星845DC EVO上的Mere 600TBW进行比较。 这将Samsung 845DC Pro放在非常优质的企业SATA SSD中,专为写入密集型工作负载而设计。

让’仔细看看三星845dc pro。

[部分标签= 2。仔细看来

仔细看看 Samsung 845DC PRO

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这里’S看一下Samsung 845DC Pro的包装。

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我们内心我们得到了Samsung 845DC Pro。除了贴纸的变化,三星845dc pro使用相同的2.5″,7毫米薄套管作为三星845dc evo我们 最近审查.

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在外壳内部,我们为400GB型号获得一个完整的PCB。那里’对于800GB版本的额外四个NAND模块,S清楚的额外空间排列。它’有趣的是三星仅使用PCB的一侧for NAND,Controller和DRAM。理论上,它们可以很容易地装载PCB的另一侧,以便更高的容量,尽管MDX控制器必须能够支持它。

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虽然三星845dc evo 使用较新的三星MEX控制器,Samsung 845DC Pro使用较旧的Samsung MDX控制器。我们仍然没有’T有任何关于MDX或MEX控制器的深度信息,除了MEX控制器在400MHz时钟时钟,MDX控制器在300MHz时计时。据我们所知,两者都是基于三芯ARM Cortex R4的控制器,其中8个通道。

虽然我们’仍然等待回复 三星对为什么他们决定使用MDX控制器,我们认为选择使用MDX控制器在Samsung 845DC Pro上的选择可能是由于大多数验证/测试的事实 在MDX / 24层3D V-NAND组合上。同时说话 三星SSI今年早些时候,我们被告知已经有三星SM843(Samsung 840 Pro的企业版)的变种,它正在使用24层3D V-NAND,并在一些三星进行测试’最接近的合作伙伴。这使我们相信三星845DC专业人士可能是SM843的这种神话3D V-NAND变体的重塑/最终版本。

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对于NAND,三星使用它们的24层40nm 3D V-NAND–在Samsung 850 Pro中使用的最新32层40nm 3D V-Nand的前身。与使用86Gbit Dies,三星的新的32层部分不同 ’第一代24层V-NAND部分使用128Gbit模具,这将为我们提供128GB的包装。对于更多的深入信息 about Samsung’S V-NAND技术,一定要查看我们的审核 三星850 Pro..

由于我们拥有400GB版本,我们得到了四个128GB的NAND套餐,从而产生了512Gib的总原始NAND产能。这相当于〜28%的超级设压。虽然我们不’T具有800GB模型,通过PCB上的空白区域判断 它可能有8个NAND套餐,也有1,024GiB翻译成〜28%的超级设压。

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在Samsung 845dc Pro 400GB中,我们还获得512MB三星LPDDR2 DRAM缓冲区。较大的800GB容量包括1GB DRAM缓冲液。

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因为我们’RE处理企业级驱动器,Samsung 845DC Pro还包括一个用于全数据路径功率损耗保护的阵列钽电容。这可确保在电力损耗发生挥发性DRAM缓冲区以及飞行中的数据中的所有数据都会被冲洗到非易失性NAND中。

[章节标签= 3。测试设置/驱动器信息]

哈斯韦尔测试替补席

系统 Cyber​​ PowerPC游戏玩家Xtreme 4200
中央处理器 英特尔酷睿i7 4770K
母板 华硕z87-a
记忆 金士顿Hyperx Genesis 16GB DDR3 2133MHz
图形 英特尔HD4600图形
贮存 OCZ.顶点4 256GB
电源供应 海盗 HX650
案件 HSPC.高速科技站
光驱 华硕OEM DVD驱动器
操作系统 视窗 8. 64位 & CentOS 6.4

特别感谢 Cyber​​ PowerPC金士顿, OCZ.技术HSPC. 赞助我们的测试台!

水晶盘信息

三星845dc. PRO 400GB

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今天我们’LL使用固件DXV80x3Q审查三星845DC专业人员。这是一个具有预生产固件的预生产样本,因此最终表现可能与我们今天收到的结果略有不同。

[章节标签= 4。 4K随机读/写性能]

三星845DC PRO 400GB Performance

4K随机写预处理

在我们的4K随机读/写性能测试之前,我们’通过安全擦除驱动器,首先是我们的企业SSD,然后在QD32敲打它的4K随机写入超过3万秒。通过在我们运行期间每秒记录IOPS和延迟’很容易看出可以预期什么样的写性能作为我们的SSD过渡 从其清新的箱子状态稳定状态。

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4K随机读/写性能

我们的4K随机写预处理后, 然后,我们通过Enterprise SSD运行两次4K随机数据,然后在下面进行实际测试之前进行一致性。

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表现 Analysis

查看我们的4K工作量结果,三星’最新的V-NAND是令人惊叹的。 4K随机读数在QD16达到〜100,000 IOPS没有问题,而4K随机写入QD2在QD2上轻松击中〜50,000 IOPS。 混合工作量在QD32达到〜65,000 IOPS,这是我们最好的结果之一’有史以来见过SATA SSD。

延迟尚未’如三星845DC Pro在我们的先前条件的整个长度的整个整个长度上都在3毫秒的情况下保持良好的问题。三星率为QD32的12ms 4K随机写入的最大延迟,所以我们’在这里做得很好。

[章节标签= 5。 8K随机读/写性能]

三星845DC PRO 400GB Performance

8K随机写预处理

在我们的8K随机读/写性能测试之前,我们’首先是通过安全擦除驱动器的企业SSD,然后在QD32敲打它的8k随机写入的速度超过30,000秒。通过在我们运行期间每秒记录IOPS和延迟’很容易看到我们的企业SSD过渡时可以预期哪种写性能 从盒子中的清新进入稳定状态。

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8K随机读/写性能

在我们的8K随机写入预处理之后,我们通过企业SSD运行了两次4K随机数据,然后在下面进行实际测试之前的一致性。

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表现 Analysis

使用8k随机工作负载,三星845dc 再次发布一些现象结果。虽然三星845DC专业人士出于某种原因只能高达〜59,000 IOPS 8K随机读数,随机写性能是顶部陷波 进入〜25,000个IOPS。什么’然而,最令人印象深刻的是,作为驱动器拉动的混合工作负载性能 〜38,000 IOP,任何SATA驱动器的最高性能’今天在这里测试过。

[章节标签= 6。 128K随机读/写性能]

三星845DC PRO 400GB Performance

128K随机写预处理

在我们的128K随机读/写性能测试之前,我们’通过安全擦除驱动器,首先是我们的企业SSD,然后在QD32中敲定超过30,000秒的超过30,000秒。通过在我们运行期间每秒记录IOPS和延迟’很容易看到我们的企业SSD过渡时可以预期哪种写性能 从其清新的箱子状态稳定状态。

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128K随机读/写性能

在我们的128K随机写入预处理之后,我们通过企业SSD运行两次4K随机数据,然后在下面进行实际测试之前的一致性。

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表现 Analysis

使用128K工作量,三星845DC Pro再次非常快。 128K随机读取性能进入〜545 MB / s,围绕SATA接口的极限,但随机写性能在〜208MB / s中进入,虽然 它的62%过度透露。什么’在这里最令人印象深刻的是,随着Samsung 845DC Pro的混合工作负载性能又能够高达QD16〜381MB / s。

[章节标签= 7。服务器访问模式]

三星845DC PRO 400GB Performance

服务器访问模式

虽然合成工作负载是SSD的伟大指标’s performance, it’并不总是指示SSD如何实际上将在现实世界中使用。例如,很少的应用程序将在QD256运行4K数据的连续传递。这就是为什么我们也使用典型的访问模式用户在现实世界中进行测试。

在执行安全擦除之后进行的两个完整通过的128K数据之后的测试之后进行测试,然后进行两个完整的4K随机数据。

 

Web服务器访问模式

我们的Web服务器访问模式模拟典型Web服务器中找到的活动类型。访问模式由100%的读数组成,块的封闭式范围为512b,最多为512k。

进入模式:100%读/ 512b = 22%,1k = 15%,2k = 8%,4k = 23%,8k = 15%,16k = 2%,32k = 6%,64k = 7%,128k = 1 %,512k = 1%

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OLTP /数据库访问模式

我们的OLTP /数据库访问模式模拟典型的在线交易处理和数据库工作负载。此处的访问模式最多可达67%的读数和8k块显示的33%写入。

访问模式:67%读数,33%写入/ 8k = 100%

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文件服务器访问模式

我们的文件服务器访问模式模拟了典型的文件服务器。此处的访问模式由80%的读数组成,并且20%的写入块,块为512B至64K之间的范围。

访问模式:80%读数,20%写作/ 512b = 10%,1k = 5%,2k = 5%,4k = 60%,8k = 2%,16k = 4%,32k = 4%,64k = 10%

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表现 Analysis

通过高读,写和混合工作负载性能,我们不符合’很惊讶地看到Samsung 845dc Pro擅长我们的所有服务器配置文件。虽然三星845DC EVO以其超快速读取的性能如此略微浏览845dc Pro,但在100%读取Web服务器访问模式中,845dc Pro显着 在今天测试的每一个测试的驱动器中都在更加写入的密集型数据库和文件服务器配置文件中击败。

[章节标签= 8。能量消耗]

三星845DC PRO 400GB Power Consumption

今天我们的电力消耗测试,我们’在我们的4K,8K和128K预处理运行期间,LL在电力消耗上进行痕迹。 下面的所有电源测试是通过攻击我们的校准来衡量的 B&K精密5491B长凳万用表 直接进入从电源到驱动器的5V线。

功率消耗-4K-randal-Write-Samsung-845DC-Pro-400GB-SATA-SSD-Custom-PC审查

Power-Coffigation-8K-Random-Write-Samsung-845DC-Pro-400GB-SATA-SSD-Custom-PC审查

电源消耗-128K-rand-Write-Samsung-845DC-Pro-400GB-SATA-SSD-Custom-PC审查

表现 Analysis

三星845dc. Pro 400GB上的空闲功耗为约1.1W,而我们的128K随机写入测试期间最大负载功耗在〜3.6W中进入〜3.6W,使其成为我们最电力效率的企业SSD之一’ve tested to date.

[部分标签= 9。结论]

三星845DC PRO 400GB Conclusions

三星-845DC-Pro-400GB-SATA-SSD-Custom-PC-Review-1当三星首次讨论时 the possibility of 3D V-NAND几年后,其在企业SSD空间中的应用立即显而易见。作为整个SSD行业 一直搬到更精细的石光线和 我们的每种电池MLC 2位以成本和容量,我们’看到两者都有显着减少 性能和耐力,这是一件坏事–特别是为企业。

幸运的是三星’S 3D V-NAND避免了这个问题,不仅改善了这个问题 表现和耐力,但三星也有前途 higher 容量和更低的成本, 在未来12-24个月内应该有趣。给定三星’在3D V-NAND中,SAMSUNG的显着头部启动,有能力保留这种水平的性能和耐力,同时继续堆叠到48层,96层等,模具容量 将继续增加,减少整个3D V-NAND的成本。 Samsung 845dc Pro真的只是冰山一角 and it’我们绝对令人难以置信’已经看到这么令人印象深刻 results.

三星 845dc Pro的性能短缺都不是现象。感谢三星’SAMSUNG 845DC Pro是新的V-NAND技术,是我们最快的SATA企业SSDS之一’迄今为止测试过。驱动器执行非常 在我们扔的各种工作量中,特别是在混合和随机写作工作量中表现出色。在我们的稳态4K随机写作工作负载中,驱动器实现了一个非常令人印象深刻的50,000 IOPS,其中包含SUB-3MS延迟而不存在问题。这种性能只是你不做的事情’T通常用最新品种的MLC企业SATA SSDS看到。

虽然我们 don’t必须讨论功耗所有这些经常为企业产品,三星的功耗845dc pro是我们最好的’从企业驾驶中看到的。 虽然怠速功耗仅略低于竞争MLC产品,但负载功耗 was 平均比大多数企业MLC驱动器低2〜2W,包括三星’S自己的3位MLC的845DC EVO。虽然这可能并不意味着较小的服务器部署,但大量的SSD的大型服务器部署每个节省〜2W平均值将看到电力和电力的大量节省 冷却成本最终减少TCO(总拥有成本)。

制造商 三星 三星
模型 845DC Pro 845DC Pro
容量 400 GB 800 GB
街道价格 $ 959.99 $ 1829.99
价格/ GB. $2.40 $2.29
检查定价 点击这里 点击这里

当我在三星SSD全球峰会回来时,我’m sure I wasn’当三星845dc pro是时,唯一一个兴奋的人 第一次宣布了。然后来了q&一个Samsung SVP品牌营销的会议,Unsoo Kim告诉我们,驱动器将进入〜1.50美元至2.00美元,这真的吹了我们。在50,000美元的〜1.50-2.00 / GB随机写入,5年来,5年来,Samsung 845DC Pro将严重 削弱了其余的行业,对英特尔,微米和沙滩等竞争对手的严重打击。

不幸的是,我们最近被三星告诉过实际定价 三星845dc. PRO is 预计为400GB型号为959.99美元,800GB型号为1829.99美元,将其放置在$ 2.40- $ 2.29 / GB之间–在这个口径的驱动器上找到了更典型的价格 such as the 微米P400m.英特尔直流S3700。也就是说,目前唯一似乎有驱动器的电子量级 listed is CDW., WHO’目前正在为1,058.99美元和800GB型号列出400GB型号,可分别为2,016.99美元,〜$ 2.65 / GB和〜2.52美元/ GB。

使用Samsung 845DC Pro,Samsung已证明他们的3D V-NAND产品已准备好进行Prime-time,并且提供的性能和耐力水平,它很容易在企业SATA SSD段中取代顶部。鉴于我们已经知道三星一直在验证 3D V-NAND基于他们的合作伙伴的产品至少是一个 一年(如果不再在内部),我’D强烈推荐Samsung 845DC Pro,因为任何人都希望部署用于写入密集型应用程序的SSD。

CPCR-GOLD.

样本提供: 三星

可用于: CDW.

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