台积电7nm工艺准备就绪,三星7nm仍在开发中

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tsmc库存图像晶圆厂12晶圆检查

在国际固态电路会议(ISSCC)上,台积电和三星都有各自的工作芯片样本 7nm节点。但是,两家公司 对于他们的准备情况,他们的看法截然不同。

根据台积电提供的介绍,他们描述了他们的状况。 7nm node as “healthy”。另一方面,三星对其生产方法的信心稍差,展示的开发芯片表明7nm芯片可能不会 准备至少几年。

前景相互矛盾的原因是制造工艺不同。由于台积电可能会基于其10nm节点生产Apple A11 SoC,因此它必须选择更成熟的高钾金属门(HKMG)设计来确保该芯片’的可操作性。另一方面,三星没有’不能满足这个需求。虽然可以说’失去了大部分业务,这使三星 需要一些时间来完善Extreme UV光刻技术,这将有助于改善其7nm芯片的性能,并且在超越7nm方面也将起到重要作用。

tsmc 7nm hk mg finfet sram

在会议期间,台积电展示了使用其7nm技术的256Mb SRAM测试芯片。台积电董事张宗盛’的记忆小组相信 that this is the 风险生产中最小的SRAM 今年。每个SRAM单元块覆盖0.027面积μm²,其面积仅为16nm同类产品的34%。预期芯片面积为42mm².

三星7nm sram vs10nm

另一方面,三星也有芯片要展示,但其产品仅限于8Mb。如上图所示,三星’其7纳米SRAM芯片将比其10纳米SRAM芯片小30%。但是芯片 wasn’t使用生产准备技术制造,而是使用EUV修理工艺制造。因此,它没有’谈到了三星在EUV开发方面的发展情况。

预计EUV将从2000年开始首先广泛部署 2020.

 

资源: EETimes

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