台长 7NM过程准备好了,三星7nm仍在开发中

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台积电库存图片Fab 12薄酥饼检查

在国际固态电路会议(ISSCC),TSMC和三星都有工作筹码样本在各自建立 7nm节点。但是,两家公司 对他们的准备情况提供了非常不同的观点。

根据TSMC提供的演示文稿,他们描述了他们的状况 7nm node as “healthy”。另一方面,三星对其生产方法有点令人信心,展示了一个开发芯片,表明7nm芯片可能不是 准备好了几年。

矛盾前景背后的原因是由于制造技术不同。因为台积电可能会根据其10nm节点生产Apple A11 SoC,所以它必须选择更成熟的高钾金属栅极(HKMG)设计,以确保芯片’可加工性。三星,另一方面,没有’这需要满足这一需求。虽然有人可以说’在大部分业务中失去了,这给了三星 一段时间以完善极端的超紫光光刻技术,有助于提高其7nm芯片的性能,并将有助于超过7nm。

 台长  7NM HK MG Finfet SRAM

在会议期间,TSMC使用其7nm技术提出了256MB的SRAM测试芯片。乔纳森昌,台积电总监’S记忆组,相信 that this is the 最小的SRAM是风险生产 今年。每个SRAM单元块占地面积为0.027μm²,这只是16nm对应的区域的34%。预期的芯片面积为42mm².

三星7nm sram vs10nm

另一方面,三星也有一个芯片展示,但其产品仅限于8MB。如上所示,三星’S 7nm SRAM芯片比其10nm SRAM芯片小30%。然而,芯片, wasn’T使用生产现成技术,而是使用EUV修复过程构建。因此,它就不了’T谈论沿三星与EUV开发有多远。

EUV. 预计将首次广泛部署开始 2020.

 

来源: eetimes.

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