三星量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM

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三星已开始批量生产其第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM。根据公告,新的三星第二代10nm级8Gb DDR4的每个引脚速度高达3600 Mbps,与第一代10nm级8Gb DDR4相比,性能提高了约10%,电源效率提高了15%。

为了实现更高的性能和电源效率,三星开发了一种新的高灵敏度单元数据传感系统,该系统可以更准确地确定存储在数据单元中的数据以及唯一的数据。“air spacer”有助于大幅降低寄生电容的设计。

“通过开发DRAM电路设计和工艺中的创新技术,我们突破了DRAM可扩展性的主要障碍,”三星电子公司内存业务总裁Gyoyoung Jin说。“通过迅速增加第二代10nm级DRAM,我们将更加积极地扩大10nm级DRAM的整体生产,以适应强劲的市场需求并继续增强我们的业务竞争力。”

三星已经完成了其第二代10nm级DDR4的验证 中央处理器 制造商,目前正在与合作伙伴合作,将新的存储器推向市场。此外,由于新技术的发展,三星正在加快其DDR5,HBM3,LPDDR5和GDDR6内存技术的下一代版本的计划,尽管目前没有时间表。

 

资源: 三星

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