三星开始批量生产基于3D TSV的DDR4模块

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三星大量生产首款3d-tsv-ddr4

根据最近的新闻稿,三星已经宣布他们’ve开始产业的大规模生产’s first 64GB DDR4 使用最新RDIMM 3D TSV(通过硅通孔)封装技术。下一代封装技术将使三星能够生产内存 与当前的PoP(Package-on-Package,叠层封装)技术相比,这种封装体积更小,速度更快,功耗更低。

不像三星’s new 3D V-NAND 技术 在芯片级使用3D堆叠技术的3D TSV是一种封装技术,仍然使用2D平面芯片,但将其垂直堆叠在封装中。

根据三星的说法:

“为了构建3D TSV DRAM封装,需要将DDR4裸片磨细至几十微米,然后刺穿以容纳数百个细孔。它们通过穿过孔的电极垂直连接。结果,新的64GB TSV模块的性能是使用引线键合封装的64GB模块的两倍,而功耗却降低了一半。”

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当前,三星使用3D TSV封装批量生产的唯一产品是面向服务器的64GB DDR4 RDIMM(已注册嵌入式内存模块)。通过使用3D TSV技术,三星可以在每个封装中堆叠四个4Gb裸片,从而使三星可以在单个RDIMM上实现64GB的DRAM。三星声称他们’将来将能够堆叠更多的芯片,这将导致更高密度的DRAM模块。

3D TSV打包何时可用于 面向消费者的未注册DDR4模块,但我不会’随着DDR4在未来几年内变得更加主流,看到3D TSV封装迟早下流,我们感到很惊讶。

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