三星11nm LPP,7nm LPP与EUV Slated 2018年

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三星标准徽标高分辨率三星继续推动过程技术的限制,因为该公司最近透露了其它最新制造过程,11nm LPP(低功率加)和7nm LPP,具有EUV。

根据宣布,三星’S新的11nm LPP是为高端移动处理器中档设计的10nm FinFET过程的替代过程。 11nm LPP工艺提供高达15%的性能,高达10%的芯片面积减少,同时绘制与当前14nm LPP过程相同的功率。新过程计划在2018年1月1日生产中生产。

在11NM LPP过程之后,具有EUV(极端超紫色)技术的7nm LPP过程。根据三星的说法,带EUV的7nm LPP是在轨道上,预计在2H2018中可以准备好,尽管此时没有提供性能,功耗或芯片尺寸信息。

“Samsung已将11nm流程添加到我们的路线图中,为各种应用提供高级选项,”瑞安李说,三星电子副总裁兼铸造厂营销部长。“通过此目的,三星在未来三年内完成了跨越14nm至11nm,10nm,8nm和7nm的全面的过程路线图。”

三星的细节’S三星预计将推出11nm LPP和7nm LPP,预计拥有EUV’S 9月15日的铸造论坛日本。

 

来源: 三星

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