微米,三星DRAM困境进一步约束DRAM供应

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三星128GB DDR4 TSV内存模块

根据最近的DigiTimes,世界上的两个文章’最大的记忆制造商可能是 很难完善他们的子20nm DRAM进程。 Micron正在经历转换到其1xNM DRAM节点的低产量率,而三星必须最近调查一批基于其18nm过程的大量DRAM模块。

上个月,Micron宣布计划花费10亿美元来升级其台中 Fab到1x NM,旨在使其芯片在今年年底之前为市场准备好。由于产量较低,其产品可能会延迟。

另一方面,三星在PC OEM报告由于内存引起的系统Bluescreening的问题之后,必须回忆超过100,000个DRAM模块。受影响的公司包括更大的OEM,如戴尔,惠普,联想和asustek。

因此,DRAM供应继续紧张,没有以延长DRAM价格的目的。

 

来源: dig

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